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IRF9610S, SiHF9610S
www.vishay.com
Vishay Siliconix
2.0
80 μs Pulse Test
2.5
I D = - 0.6 A
1.6
V DS > I D(on) x R DS(on) max.
2.0
V GS = - 10 V
1.2
0.8
0.4
0.0
T J = - 55 ° C
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
1.5
1.0
0.5
0.0
0
- 0.48
- 0.96
- 1.44
- 1.92
- 2.40
- 40
0
40
80
120
160
91081_06
I D, Drain Current (A)
91081_09
T J , Junction Temperature (°C)
Fig. 6 - Typical Transconductance vs. Drain Current
Fig. 9 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
- 10.0
500
V GS = 0 V, f = 1 MHz
C iss = C gs + C gd , C ds Shorted
- 5.0
400
C rss = C gd
C oss = C ds +
C gs , C gd
C gs + C gd
- 2.0
300
≈ C gs + C gd
- 1.0
- 0.5
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
200
C iss
C oss
100
C rss
- 0.2
0
- 0.1
0
- 10
- 20
- 30
- 40
- 50
- 2.0
- 3.2
- 4.4
- 5.6
- 6.8
- 8.0
91081_10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
91081_07
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig. 10 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
1.25
1.15
1.05
0.95
0.85
0.75
20
16
12
8
4
0
I D = - 1.8 A
V DS = - 100 V
V DS = - 60 V
V DS = - 40 V
For test circuit
see figure 18
- 40
0
40
80
120
160
0
2
4
6
8
91081_08
T J , Junction Temperature (°C)
91081_11
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig. 8 - Breakdown Voltage vs. Temperature
Fig. 11 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
S12-1558-Rev. D, 02-Jul-12
4
Document Number: 91081
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